8月13日校园春色小说，记者从复旦大学获悉，该校周鹏-刘春森团队从界面工程动身，在海外上初次杀青了最大限度1Kb纳秒超快闪存阵列集成考证，并解说了其超快特质可蔓延至亚10纳米。联系筹谋后果12日发表于海外期刊《当然·电子学》。

东谈主工智能的速即发展遑急需要高速非易失存储本领，现时主流非易失闪存的编程速率多数在百微秒级，无法撑捏诈欺需求。该筹谋团队在前期发现二维半导体结构大概将其速率耕种一千倍以上，杀青颠覆性的纳秒级超快存储闪存本领。关联词，杀青限度集成、走向骨子诈欺仍具有挑战。

为此，筹谋东谈主员开导了超界面工程本领校园春色小说，在限度化二维闪存中杀青了具备原子级平整度的异质界面，聚会高精度的表征本领，泄漏集成工艺优于海外水平。筹谋东谈主员通过严格的直流存储窗口、一样脉冲存储性能测试，阐发了二维新机制闪存在1Kb存储限度中，在纳秒级非易失编程速率下的良率可高达98%，这一良率高于海外半导体本深远线图对闪存制造89.5%的良率条件。

同期，筹谋团队研发了不依赖先进光刻配置的自瞄准工艺，聚会原始革命的超快存储叠层电场筹谋表面，奏效杀青了沟谈长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是当今海外最短沟谈闪存器件，拦截了硅基闪存物理尺寸极限，约15纳米。在原子级薄层沟谈支捏下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、10万次轮回寿命和多态存储性能。

筹谋东谈主员先容，此项筹谋职责将鼓励超快闪存本领的产业化诈欺。